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产品描述
该设备为超高真空脉冲激光镀膜设备，主要用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。
极限真空：2×10-6Pa
激光靶：4靶位一套，可公转、自转
基片尺寸：60mm
基片加热温度：0～700℃，可控，控温精度±1℃
真空室球体内径：Φ450mm
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